Descrição
Grandes de cepa semicondutores: visão geral e aplicações
Os deformação semicondutores alavancam as propriedades piezoresistivas de materiais comosilícioougermânioPara medir a tensão. Diferentemente dos medidores tradicionais de folha metálica, eles oferecem sensibilidade significativamente maior, mas vêm com trade-offs na linearidade e na estabilidade da temperatura.
Comparação com medidores metálicos
| Recurso | Medidores semicondutores | Medidores metálicos de papel alumínio |
|---|---|---|
| Sensibilidade | Muito alto | Baixo moderado |
| Estabilidade da temperatura | Pobre (requer compensação) | Bom |
| Linearidade | Moderado (não linear em alta tensão) | Excelente |
| Durabilidade | Frágil | Robusto |
| Custo | Alto | Baixo |
Características
- Alta sensibilidade: Ideal para detectar pequenas deformações (por exemplo, em dispositivos MEMS ou sensores biomédicos).
- Miniaturização: Pode ser fabricado na microescala para integração em sistemas compactos (por exemplo, sensores de pressão em smartphones).
- Resposta rápida: Adequado para medições dinâmicas de alta frequência.
- Baixo consumo de energia: Útil em dispositivos operados por bateria.
Dados técnicos
Características do medidor de deformação semicondutores
|
Número do modelo |
Syp -15 |
Syp -30 |
Syp -60 |
Syp -120 |
Syp -350 |
Syp -600 |
Syp -1000 |
|
Resistência do Gage (ω) |
15±5% |
30±5% |
60±5% |
120±5% |
350±5% |
600±5% |
1000±5% |
|
Código |
B,C |
B,C |
B,C |
A,B,C |
B,C |
C |
C,D |
|
construção |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
C:0,F2,F3,F4,F5 |
|
K |
100 |
100 |
120 |
A:150 |
150 |
200 |
C:200 |
|
TCR (%\/ grau) |
0.10 |
0.10 |
0.15 |
0.13 |
0.30 |
0.45 |
C:0.40 |
|
TCGF (%\/ grau) |
-0.12 |
-0.12 |
-0.18 |
A:-0.35 |
-0.35 |
-0.48 |
C:-0.48 |
|
Corrente operacional máxima (MA) |
50 |
50 |
50 |
A:20 |
30 |
20 |
20 |
|
Limites de deformação (Mε) |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
Dimensão
|
Medidor de linhagem semicondutores (sem substrato) |
|||
|
Código |
configuração |
tamanho (mm) |
Resistência a medidores |
|
A |
|
1.27×0.22×(0.020~0.030) |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω |
|
B |
|
3.8×0.22×(0.020~0.030) |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω,350Ω |
|
C |
 |
4.7×0.22×0.02 |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω,350Ω,600Ω,1000Ω |
|
D |
|
6×0.22×0.02 |
1000Ω |
|
① O comprimento do fio de cobre da linhagem semicondutor (sem substrato) é menor que 6 mm; |
|||
Exemplo: SYP 1000 C F3
Explicar: P-Si Semicondutor Strain Gage
Resistência: 1000Ω;
K: 200;
Silício: 4,7 × 0. 22 × 0. 02;
Tamanho do substrato: 7 × 4.
Aplicações:
- Compensação não linear do sensor de papel alumínio
- MACHINARY AVIATHIPS BRIDGES
- Sensor de micro pressão
Observação:Se houver outros requisitos ou o tamanho do substrato ou a faixa de silício deve ser especificada no contrato
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